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化学抛光适用什么材料？工艺原理是如何的

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化学抛光主要用不锈钢、铜及铜合金等。化学抛光对钢铁零件，尤其是低碳钢有较好的抛光效果，所以对于一些机械抛光时较为困难的钢铁零件，可采用化学抛光。

原理：化学抛光是靠化学***的化学浸蚀作用对样品表面凹凸不平区域的选择性溶解作用消除磨痕、浸蚀整平的一种方法。化学抛光设备简单，能够处理细管、带有深孔及形状复杂的零件，生产。化学抛光可作为电镀预处理工序，也可在抛光后辅助以必要的防护措施直接使用。

铝合金产品传统的三酸抛光的化学工艺配方为：磷酸80%，***10%，10%。目前磷酸的价格为5400元/吨，***700元/吨，2300元/吨（以上价格仅作为参考）。那么我们传统的配方成本为：磷酸800ml*1.70*5.40=7.344元，***100ml*1.84*0.7=0.13元，100ml*1.40*2.30=0.32元，那么一升抛光液合计的成本为7.8元。目前我公司研制成功的OY系列铝处理化学抛光工艺，磷酸为500ml/l,***500ml/l,光亮剂20ml/l, 成本核算为：500ml*1.70*5.40=4.59元；***500*1.84*0.7=0.644;光亮剂计0.65元，合计5.85元。因此，我公司OY系列铝处理工艺，成本足足下降了20%。而且OY系列产品在处理铝的时候,无任何黄烟，大大的改善了生产环境；处理成品率可以在到98%以上，几乎无因为抛光而造成的报废品；光亮度好，与三酸处理无异；维护管理容易，溶液性能稳定。因此，我公司极力推荐使用本产品。

依据机械加工原理、半导体材料工程学、物力化学多相反应多相催化理论、表面工程学、半导体化学基础理论等，对硅单晶片化学机械抛光（CMP）机理、动力学控制过程和影响因素研究标明，化学机械抛光是一个复杂的多相反应，它存在着两个动力学过程：（1）抛光首先使吸附在抛光布上的抛光液中的氧化剂、催化剂等与衬底片表面的硅原子在表面进行氧化还原的动力学过程。这是化学反应的主体。（2）抛光表面反应物脱离硅单晶表面，即解吸过程使未反应的硅单晶重新出来的动力学过程。它是控制抛光速率的另一个重要过程。硅片的化学机械抛光过程是以化学反应为主的机械抛光过程，要获得质量好的抛光片，必须使抛光过程中的化学腐蚀作用与机械磨削作用达到一种平衡。如果化学腐蚀作用大于机械抛光作用，则抛光片表面产生腐蚀坑、桔皮状波纹。如果机械磨削作用大于化学腐蚀作用，则表面产生高损伤层。

1. LED行业LED芯片主要采用的衬底材料是蓝宝石，在加工过程中需要对其进行减薄和抛光。蓝宝石的硬度极高，普通磨料难以对其进行加工。在用金刚石研磨液对蓝宝石衬底表面进行减薄和粗磨后，表面不可避免的有一些或大或小的划痕。CMP抛光液利用“软磨硬”的原理很好的实现了蓝宝石表面的精密抛光。随着LED行业的快速发展，聚晶金刚石研磨液及二氧化硅溶胶抛光液的需求也与日俱增。